Η Samsung Electronics Co., Ltd., παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε σήμερα την κυκλοφορία της μνήμης υψηλού εύρους ζώνης 2E (HBM2E) 3ης Γενιάς, «Flashbolt». Η νέα 16GB HBM2E είναι μοναδικά σχεδιασμένη για τη μεγιστοποίηση της υψηλής απόδοσης των υπολογιστικών συστημάτων (High Performance Computing). Έτσι, δύναται να βοηθήσει τους κατασκευαστές συστημάτων να αναβαθμίσουν υπερ-υπολογιστές, αναλύσεις δεδομένων με βάση την τεχνητή νοημοσύνη, καθώς και υψηλής τεχνολογίας συστήματα γραφικών.«Παρουσιάζοντας τη DRAM με την υψηλότερη απόδοση στην αγορά, κάνουμε ένα σημαντικό βήμα για την ενίσχυση της θέσης μας ως πρωτοποριακού ηγέτη στην ταχέως αναπτυσσόμενη αγορά premium μνήμης», δήλωσε ο Cheol Choi, Executive Vice President του Memory Sales & Marketing στη Samsung Electronics. «Η Samsung θα παραμείνει πιστή στη δέσμευσή της για παροχή πραγματικά διαφοροποιημένων λύσεων με την παράλληλη ενίσχυση της ανάπτυξης της παγκόσμιας αγοράς μνήμης».Η νέα Flashbolt διαθέτει τη διπλάσια χωρητικότητα σε σχέση με την προηγούμενης γενιάς 8GB HBM2 «Aquabolt» και αυξάνει ραγδαία την αποτελεσματικότητα και την ενεργειακή απόδοση, για να βελτιώσει σημαντικά τα υπολογιστικά συστήματα επόμενης γενιάς. Η χωρητικότητα 16GB επιτυγχάνεται με την κάθετη στοίχιση οκτώ στοιβάδων 16-gigabit (Gb) DRAM, τάξεως 10nm (1y), οι οποίες τοποθετούνται επάνω σε ένα buffer chip. Στη συνέχεια, η HBM2E διασυνδέεται σε μια ακριβή διάταξη περισσότερων από 40.000 υψηλής απόδοσης τεχνικών διασυνδέσεων TSV microbumps, με την κάθε επίστρωση 16Gb να περιέχει περισσότερες από 5.600 μικροσκοπικές οπές.